bios设置内存，内存BIOs设置
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1，内存BIOs设置
同样是800的频率的内存，基本上在BIOS内是不用设定的。通常不能用，左可能是插槽内有积灰尘，或是内存卡上的金手指(金属接点)有生锈，可用橡皮擦擦拭一下试试。另外有可能电脑内部太久没有清理灰尘，造成短路也是有可能的。
金手指擦擦，不要设置的
2，BIOS中内存频率如何设置
内存的频率是不可更改的，便是可以超频。下面简单介绍一下。
1．内存同步超频
对于内存超频而言，根据不同主板，可以采用不同的超频方案，同时内存超频又与CPU有着直接或间接的关系，一般来说，内存超频的实现方法有两种：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作；二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。
首先我们说说内存同步超频，我们知道，在一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频使之与CPU同频工作，比如我们拥有一个平台，CPU为Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266内存。Athlon XP 1800+默认外频为133MHz、默认倍频为11.5，主频为1.53G，由于Athlon XP 1800+倍频被锁定了，只能通过提升外频的方法超频，假如将Athlon XP 1800+外频提升到166MHz，此时CPU主频为166MHz×11.5≈1.9GHz。由于CPU外频提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上规格内存，那么将内存频率设置为166MHz属于标准频率下工作，但这里使用的是DDR266内存，为了满足CPU超频需求，内存也必须由原来的DDR266
（133MHz）超频到DDR333
（166MHz）使用。
具体方法是进入BIOS设置，找到“Advanced Chipset Features” 选项，然后会看到一个“DRAM Clock”选项，将鼠标光标定位到这里并回车，然后会出现内存频率设置选项，在这里我们选择“166MHz”并回车，保存设置并退出即实现了内存同步超频。
需要注意的是，超频后的内存在非标准频率下工作，如果内存品质不好，可能造成死机，所以内存超频还需要看内存本身的品质，一般而言，市场上普遍常见的现代（Hyundai）、三星（Samsung）兼容DDR内存，其都不具备很好的超频性能。
3，怎么用BIOS设置内存我要具体的操作步骤
BIOS 设置内存 ? 你说的是 把667设置成 533 或者是400吧? 在BIOS里面找到 DDR 667 字样 然后下调 条到 533 或 400
SDRAM CAS Latency Time（内存CAS延迟时间） 可选项：2，3。内存CAS（Column Address Strobe，列地址选通脉冲）延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。在133MHz频率下，品质一般的兼容内存大多只能在CAS=3下运行，在CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失数据甚至无法启动。CAS延迟时间是一个非常重要的内存参数，对电脑性能的影响比较大，Intel与VIA就PC133内存规范的分歧也与此参数有关，Intel认为PC133内存应能稳定运行于133MHz频率、CAS=2下，而VIA认为PC133内存能稳定运行于133MHz频率即可，并未特别指定CAS值，因此Intel的规范更加严格，一般只有品牌内存才能够满足此规范，所以大家感觉Intel的主板比较挑内存。SDRAM Cycle Time Tras/Trc（内存Tras/Trc时钟周期）可选项：5/7，7/9。该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间（Row Active Time），它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间（Row Cycle Time），它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。SDRAM RAS-TO-CAS Delay（内存行地址传输到列地址的延迟时间）可选项：2，3。该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。（^23030501a^） SDRAM RAS Precharge Time（内存行地址选通脉冲预充电时间）可选项：2，3。该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据
步骤很少 但是选项和定义很多 建议你自己研究主板说明书
4，BIOS中内存频率如何设置
内存的频率是不可更改的，便是可以超频。下面简单介绍一下。nbsp;1．内存同步超频nbsp;对于内存超频而言，根据不同主板，可以采用不同的超频方案，同时内存超频又与CPU有着直接或间接的关系，一般来说，内存超频的实现方法有两种：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作；二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。nbsp;首先我们说说内存同步超频，我们知道，在一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频使之与CPU同频工作，比如我们拥有一个平台，CPU为Athlonnbsp;XPnbsp;1800+、KT600主板、DDR266内存。Athlonnbsp;XPnbsp;1800+默认外频为133MHz、默认倍频为11.5，主频为1.53G，由于Athlonnbsp;XPnbsp;1800+倍频被锁定了，只能通过提升外频的方法超频，假如将Athlonnbsp;XPnbsp;1800+外频提升到166MHz，此时CPU主频为166MHz×11.5≈1.9GHz。由于CPU外频提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上规格内存，那么将内存频率设置为166MHz属于标准频率下工作，但这里使用的是DDR266内存，为了满足CPU超频需求，内存也必须由原来的DDR266
（133MHz）超频到DDR333
（166MHz）使用。nbsp;具体方法是进入BIOS设置，找到“Advancednbsp;Chipsetnbsp;Features”nbsp;选项，然后会看到一个“DRAMnbsp;Clock”选项，将鼠标光标定位到这里并回车，然后会出现内存频率设置选项，在这里我们选择“166MHz”并回车，保存设置并退出即实现了内存同步超频。nbsp;需要注意的是，超频后的内存在非标准频率下工作，如果内存品质不好，可能造成死机，所以内存超频还需要看内存本身的品质，一般而言，市场上普遍常见的现代（Hyundai）、三星（Samsung）兼容DDR内存，其都不具备很好的超频性能。nbsp;2．内存异步超频nbsp;在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。而内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz或3:4、4:5（内存:外频）的频率上，这样可以缓解超频时经常受限于内存的“瓶颈”。nbsp;对于支持SDRAM内存的老主板而言（如815系列），在支持内存异步的主板BIOS中，可以在“DRAMnbsp;Clock”下找到“Hostnbsp;Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三个模式。其中Hostnbsp;Clock为总线频率和内存工作频率同步，Hclk-33M表示总线频率减少33M，而Hclk+33M可以使内存的工作频率比系统外频高出33MHz，比如将赛扬1.0G外频从100MHz超到125MHz，而你的内存为PC133规格（即标准外频为133MHz），此时在BIOS的“DRAMnbsp;Clock”下选择“Hclk+33M”，可以让赛扬1.0G工作在125MHz外频下，而内存却可以在133MHz频率下运行，充分挖掘内存的超频潜力并提升系统性能。nbsp;而对于支持DDR内存的老主板而言（如845G芯片组），Intel规定845G只支持DDR266
（133MHz×2）内存，不过有的品牌845G主板在BIOS中加入内存异步功能，在BIOS中按照4:5的比例进行设置，可以让内存运行在166MHz，从而支持DDR333
（166MHz×2），并使内存带宽提升到2.66GB/s。具体操作方式是：进入BIOS设置中，进入“Advancednbsp;Chipsetnbsp;Features”的“DRAMnbsp;Timingnbsp;Setting”选项，然后进入“DRAMnbsp;Frequency（内存频率）”选项，在这里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHznbsp;Auto等选项，直接选中“320MHz”即可。nbsp;一般来说AMD的U同步比异步工作要好，而INTEL就不然.nbsp;3．增加电压帮助超频nbsp;内存频率提升了，所以内存功耗也随之增加，但在默认情况下，主板BIOS中内存电压参数是被设置为内存标准频率的数值，通常来说，为了确保内存超频的稳定性，我们需要增加内存电压，很多主板BIOS设置中都提供了内存电压调节功能，同时内存电压调节级别一般以0.05V或0.1V为档次逐渐调节，内存电压参数调节越细微，对超频越
5，bios里面怎么设置内存
Above 1MB Memory Test：设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。Auto Configuration：设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。Memory Test Tick Sound：是否发出内存自检的滴嗒声。如果您闲它烦，可以关闭它们。Memory Parity Error Check：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。Cache Memory Controller：是否使用高速缓存。不在流行的Award BIOS中使用。Shadow RAM Option：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成死机。Internal Cache Memory：是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。External Cache Memory：是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。Concurrent Refresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。DRAM Read Wait State：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。DRAM Write Wait State：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。Slow Refresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。Shadow Cachecable：把映射到常规内存的BIOS ROM增加高速缓存，使性能更进一步。Page Mode：使内存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期 自动复位为0。Memory Relocation：内存重新定位。即将384的上位内存(Upper Memory Block)数据转储到1MB以上的扩展内存中。Memory Hole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。DRMA Timing Setting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。Fast MA to RAS Delay：设置内存地址(Memory Address)到内存行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间。DRAM Write Brust Timing：CPU把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。Fast RAS To CAS Delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。DRAM Lead-Off Timing：CPU读/写内存前的时间。DRAM Speculative Read：设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期，可以提高系统性能。DRAM Data Integrity Mode：选择内存校验方式是Parity或ECC。Refresh RAS Assertion：设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内存可以延迟刷新，从而提高系统性能。RAS Recharge Period：内存行地址信号预先充电所需要的时间。Fast EDO Path Select：设置选择对EDO内存读/写的快速途径，可以提高系统性能。SDRAM RAS Latency：设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。SDRAM RAS Timing：设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间，也即刷新时间。Peer Concurrency：为提高系统并行，使CPU对高速缓存或内存或PCI设备，或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。系统智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。
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